目 录__eol__ __eol__第1章 器件物理 1__eol__1.1 半导体 1 __eol__1.1.1 产生与复合 3__eol__1.1.2 非本征（杂质）半导体 5__eol__1.1.3 扩散和漂移 7__eol__1.2 PN结 9__eol__1.2.1 耗尽区 9__eol__1.2.2 PN结二极管 11__eol__1.2.3 肖特基二极管 13__eol__1.2.4 齐纳二极管 14__eol__1.2.5 欧姆接触 15__eol__1.3 双极型晶体管 16 __eol__1.3.1 Beta 18__eol__1.3.2 I-V特性 19__eol__1.4 MOS晶体管 20__eol__1.4.1 阈值电压 22__eol__1.4.2 I-V特性 23__eol__1.5 JFET晶体管 25__eol__1.6 小结 27__eol__1.7 习题 28__eol__第2章 半导体制造 30__eol__2.1 硅制造 30 __eol__2.1.1 晶体生长 30__eol__2.1.2 晶圆制造 31__eol__2.1.3 硅的晶体结构 32__eol__2.2 光刻技术 33__eol__2.2.1 光刻胶 33__eol__2.2.2 光掩模和掩模版 34__eol__2.2.3 光刻 35__eol__2.3 氧化物生长和去除 35__eol__2.3.1 氧化物生长和淀积 35__eol__2.3.2 氧化物去除 37__eol__2.3.3 氧化物生长和去除的其他__eol__ 效应 38__eol__2.3.4 硅的局部氧化（LOCOS） 40__eol__2.4 扩散和离子注入 41__eol__2.4.1 扩散 42__eol__2.4.2 扩散的其他效应 43__eol__2.4.3 离子注入 45__eol__2.5 硅淀积和刻蚀 46__eol__2.5.1 外延 47__eol__2.5.2 多晶硅淀积 48__eol__2.5.3 介质隔离 49__eol__2.6 金属化 51__eol__2.6.1 铝淀积及去除 52__eol__2.6.2 难熔阻挡金属 53__eol__2.6.3 硅化 55__eol__2.6.4 夹层氧化物、夹层氮化物和__eol__ 保护层 56__eol__2.6.5 铜金属化 58__eol__2.7 组装 60__eol__2.7.1 安装与键合 61__eol__2.7.2 封装 63__eol__2.8 小结 64__eol__2.9 习题 64__eol__第3章 典型工艺 66__eol__3.1 标准双极工艺 66__eol__3.1.1 本征特性 66__eol__3.1.2 制造顺序 67__eol__3.1.3 可用器件 71__eol__3.1.4 工艺扩展 77__eol__3.2 多晶硅栅CMOS工艺 80__eol__3.2.1 本质特征 81__eol__3.2.2 制造顺序 81__eol__3.2.3 可用器件 87__eol__3.2.4 工艺扩展 92__eol__3.3 模拟BiCMOS 96__eol__3.3.1 本质特征 96__eol__3.3.2 制造顺序 97__eol__3.3.3 可用器件 102__eol__3.3.4 工艺扩展 106__eol__3.4 小结 110__eol__3.5 习题 110__eol__第4章 失效机制 113__eol__4.1 电过应力 113__eol__4.1.1 静电漏放（ESD） 113__eol__4.1.2 电迁徙 115__eol__4.1.3 介质击穿 117__eol__4.1.4 天线效应 119__eol__4.2 玷污 121__eol__4.2.1 干法腐蚀 122__eol__4.2.2 可动离子玷污 123__eol__4.3 表面效应 125__eol__4.3.1 热载流子注入 125__eol__4.3.2 齐纳蠕变 128__eol__4.3.3 雪崩诱发β衰减 130__eol__4.3.4 负偏置温度不稳定性 131__eol__4.3.5 寄生沟道和电荷分散 132__eol__4.4 寄生效应 139__eol__4.4.1 衬底去偏置 140__eol__4.4.2 少子注入 143__eol__4.4.3 衬底效应 153__eol__4.5 小结 154__eol__4.6 习题 155__eol__第5章 电阻 157__eol__5.1 电阻率和方块电阻（薄层__eol__ 电阻） 157__eol__5.2 电阻版图 159__eol__5.3 电阻变化 162__eol__5.3.1 工艺变化 162__eol__5.3.2 温度变化 163__eol__5.3.3 非线性 164__eol__5.3.4 接触电阻 166__eol__5.4 电阻的寄生效应 167__eol__5.5 不同电阻类型的比较 170__eol__5.5.1 基区电阻 170__eol__5.5.2 发射区电阻 171__eol__5.5.3 基区埋层电阻 172__eol__5.5.4 高值薄层电阻 172__eol__5.5.5 外延埋层电阻 175__eol__5.5.6 金属电阻 176__eol__5.5.7 多晶硅电阻 177__eol__5.5.8 NSD和PSD电阻 179__eol__5.5.9 N阱电阻 180__eol__5.5.10 薄膜电阻 181__eol__5.6 调整电阻阻值 182__eol__5.6.1 调节电阻（Tweaking Resistor） 182__eol__5.6.2 微调电阻 184__eol__5.7 小结 191__eol__5.8 习题 191__eol__第6章 电容和电感 193__eol__6.1 电容 193__eol__6.1.1 电容的变化 198__eol__6.1.2 电容的寄生效应 201__eol__6.1.3 电容比较 202__eol__6.2 电感 210__eol__6.2.1 电感寄生效应 212__eol__6.2.2 电感的制作 214__eol__6.3 小结 215__eol__6.4 习题 216__eol__第7章 电阻和电容的匹配 218__eol__7.1 失配的测量 218__eol__7.2 失配的原因 220__eol__7.2.1 随机变化 220__eol__7.2.2 工艺偏差 223__eol__7.2.3 互连寄生 224__eol__7.2.4 版图移位 225__eol__7.2.5 刻蚀速率的变化 227__eol__7.2.6 光刻效应 229__eol__7.2.7 扩散相互作用 230__eol__7.2.8 氢化 231__eol__7.2.9 机械应力和封装漂移 232__eol__7.2.10 应力梯度 234__eol__7.2.11 温度梯度和热电效应 242__eol__7.2.12 静电影响 246__eol__7.3 器件匹配规则 253__eol__7.3.1 电阻匹配规则 253__eol__7.3.2 电容匹配规则 256__eol__7.4 小结 259__eol__7.5 习题 259__eol__第8章 双极型晶体管 262__eol__8.1 双极型晶体管的工作原理 262__eol__8.1.1 β值下降 263__eol__8.1.2 雪崩击穿 264__eol__8.1.3 热击穿和二次击穿 265__eol__8.1.4 NPN晶体管的饱和状态 267__eol__8.1.5 寄生PNP管的饱和态 270__eol__8.1.6 双极晶体管的寄生效应 272__eol__8.2 标准双极型小信号晶体管 274__eol__8.2.1 标准双极型NPN晶体管 274__eol__8.2.2 标准双极工艺衬底PNP__eol__ 晶体管 279__eol__8.2.3 标准双极型横向PNP__eol__ 晶体管 282__eol__8.2.4 高电压双极型晶体管 289__eol__8.2.5 超β（Super-Beta）NPN__eol__ 晶体管 291__eol__8.3 CMOS和BiCMOS工艺小信号__eol__ 双极型晶体管 292__eol__8.3.1 CMOS工艺PNP晶体管 292__eol__8.3.2 浅阱（Shallow-Well）__eol__ 晶体管 295__eol__8.3.3 模拟BiCMOS双极型__eol__ 晶体管 297__eol__8.3.4 高速双极型晶体管 299__eol__8.3.5 多晶硅发射极晶体管 301__eol__8.3.6 氧化隔离（Oxide-Isolated）__eol__ 晶体管 302__eol__8.3.7 锗硅晶体管 305__e