目 录__eol__第1章 晶体性质和半导体生长 1__eol__1.1 半导体材料 1__eol__1.2 晶格 2__eol__1.2.1 周期结构 2__eol__1.2.2 立方晶格 4__eol__1.2.3 晶面与晶向 5__eol__1.2.4 金刚石晶格 7__eol__1.3 大块晶体生长 9__eol__1.3.1 原材料的制备 9__eol__1.3.2 单晶的生长 9__eol__1.3.3 晶片加工 11__eol__1.3.4 晶体掺杂 11__eol__1.4 薄层晶体的外延生长 12__eol__1.4.1 外延生长的晶格匹配 13__eol__1.4.2 气相外延 14__eol__1.4.3 分子束外延 16__eol__1.5 周期性结构中波的传播 17__eol__小结 18__eol__习题 19__eol__参考读物 20__eol__自测题 20__eol__第2章 原子和电子 22__eol__2.1 关于物理模型 22__eol__2.2 重要实验及其结果 23__eol__2.2.1 光电效应 23__eol__2.2.2 原子光谱 25__eol__2.3 玻尔模型 26__eol__2.4 量子力学基础知识 28__eol__2.4.1 几率和不确定性原理 29__eol__2.4.2 薛定谔波动方程 30__eol__2.4.3 势阱问题 32__eol__2.4.4 量子隧穿 33__eol__2.5 原子结构和元素周期表 34__eol__2.5.1 氢原子 34__eol__2.5.2 元素周期表 36__eol__小结 39__eol__习题 40__eol__参考读物 41__eol__自测题 41__eol__第3章 半导体的能带和载流子 43__eol__3.1 固体结合性质与能带 43__eol__3.1.1 固体的结合性质 43__eol__3.1.2 能带 45__eol__3.1.3 金属、半导体和绝缘体 47__eol__3.1.4 直接禁带半导体和间接禁带半导体 48__eol__3.1.5 化合物半导体能带结构随组分的变化 49__eol__3.2 半导体中的载流子 50__eol__3.2.1 电子和空穴 51__eol__3.2.2 有效质量 54__eol__3.2.3 本征半导体 56__eol__3.2.4 非本征半导体 57__eol__3.2.5 量子阱中的电子和空穴 60__eol__3.3 载流子浓度 60__eol__3.3.1 费米能级 61__eol__3.3.2 平衡态电子和空穴浓度 62__eol__3.3.3 载流子浓度对温度的依赖关系 66__eol__3.3.4 杂质补偿和空间电荷中性 67__eol__3.4 载流子在电场和磁场中的运动 68__eol__3.4.1 电导率和迁移率 68__eol__3.4.2 电阻率 71__eol__3.4.3 迁移率对温度和掺杂浓度的依赖关系 72__eol__3.4.4 高场效应 74__eol__3.4.5 霍尔效应 74__eol__3.5 平衡态费米能级的不变性 76__eol__小结 77__eol__习题 78__eol__参考读物 80__eol__自测题 81__eol__第4章 半导体中的过剩载流子 83__eol__4.1 半导体对光的吸收特性 83__eol__4.2 半导体发光 85__eol__4.2.1 光致发光 85__eol__4.2.2 电致发光 87__eol__4.3 载流子寿命和光电导 87__eol__4.3.1 电子和空穴的直接复合 87__eol__4.3.2 间接复合；载流子俘获 89__eol__4.3.3 稳态载流子浓度；准费米能级 91__eol__4.3.4 光电导 93__eol__4.4 载流子在半导体中的扩散 93__eol__4.4.1 扩散机制 94__eol__4.4.2 载流子的扩散和漂移；自建电场 96__eol__4.4.3 扩散和复合；连续性方程 98__eol__4.4.4 稳态注入；扩散长度 99__eol__4.4.5 Haynes-Shockley实验 101__eol__4.4.6 准费米能级的空间梯度 103__eol__小结 104__eol__习题 104__eol__参考读物 107__eol__自测题 107__eol__第5章 半导体p-n结和金属-半导体结 109__eol__5.1 p-n结的制造 109__eol__5.1.1 热氧化 109__eol__5.1.2 扩散 111__eol__5.1.3 快速热处理 112__eol__5.1.4 离子注入 113__eol__5.1.5 化学气相淀积 114__eol__5.1.6 光刻 115__eol__5.1.7 腐蚀(刻蚀) 117__eol__5.1.8 金属化 118__eol__5.2 平衡态p-n结 120__eol__5.2.1 接触电势 120__eol__5.2.2 平衡态费米能级 123__eol__5.2.3 结的空间电荷 124__eol__5.3 结的正偏和反偏；稳态特性 127__eol__5.3.1 结电流的定性分析 127__eol__5.3.2 载流子的注入 130__eol__5.3.3 反向偏置 136__eol__5.4 反向击穿 138__eol__5.4.1 齐纳击穿 139__eol__5.4.2 雪崩击穿 140__eol__5.4.3 整流二极管 142__eol__5.4.4 击穿二极管 144__eol__5.5 瞬态特性和交流特性 144__eol__5.5.1 存储电荷的瞬态变化 145__eol__5.5.2 反向恢复过程 147__eol__5.5.3 开关二极管 149__eol__5.5.4 p-n结电容 149__eol__5.5.5 变容二极管 152__eol__5.6 对二极管简单理论的修正 153__eol__5.6.1 接触电势对载流子注入的影响 154__eol__5.6.2 空间电荷区内载流子的产生和复合 155__eol__5.6.3 欧姆损耗 157__eol__5.6.4 缓变结 159__eol__5.7 金属-半导体结 160__eol__5.7.1 肖特基势垒 160__eol__5.7.2 整流接触 161__eol__5.7.3 欧姆接触 163__eol__5.7.4 典型的肖特基势垒 164__eol__5.8 异质结 165__eol__小结 168__eol__习题 169__eol__参考读物 175__eol__自测题 175__eol__第6章 场效应晶体管 177__eol__6.1 场效应晶体管的工作原理 178__eol__6.1.1 晶体管的负载线 178__eol__6.1.2 放大和开关作用 178__eol__6.2 结型场效应晶体管 179__eol__6.2.1 夹断和饱和 180__eol__6.2.2 栅的控制作用 181__eol__6.2.3 电流-电压特性 182__eol__6.3 金属-半导体场效应晶体管 184__eol__6.3.1 GaAs金属-半导体场效应晶体管 184__eol__6.3.2 高电子迁移率晶体管 185__eol__6.3.3 短沟效应 186__eol__6.4 金属-绝缘体-半导体场效应晶体管 187__eol__6.4.1 MOSFET的基本工作原理 187__eol__6.4.2 理想MOS结构的性质 190__eol__6.4.3 真实表面的影响 197__eol__6.4.4 阈值电压 199__eol__6.4.5 电容-电压(C-V)特性分析 200__eol__6.4.6 瞬态电容测量(C-t测量) 203__eol__6.4.7 氧化层的电流-电压(I-V)特性 204__eol__6.5 MOS场效应晶体管 206__eol__6.5.1 输出特性 207__eol__6.5.2 转移特性 209__eol__6.5.3 迁移率模型 211__eol__6.5.4 短沟MOSFET的I-V特性 213__eol__6.5.5 阈值电压的控制 214__eol__6.5.6 衬底偏置效应(体效应) 217__eol__6.5.7 亚阈值区特性 219__eol__6.5.8 MOSFET的等效电路 220__eol__6.5.9 按比例缩小和热电子效应 221__eol__6.5.10 漏致势垒降低效应 225__eol__6.5.11 短沟效应和窄沟效应 226__eol__6.5.12 栅诱导泄漏电流 227__eol__6.6 先进MOSFET结构 228__eol__6.6.1 金属栅-高k介质MOS结构 228__eol__6.6.2 高迁移率沟道材料和应变硅材料 229__eol__6.6.3 SOI MOSFET和FinFET 231__eol__小结 233__eol__习题 234__eol__参考读物 237__eol__自