目 录__eol__ __eol__第1章 概论 1__eol__1.1 微电子学的概念 1__eol__1.2 微电子学的战略地位 3__eol__1.3 微电子学的发展历史 7__eol__1.3.1 晶体管的发展历史 7__eol__1.3.2 集成电路的发展历史 9__eol__1.4 集成电路的分类 12__eol__1.5 微电子产业的发展现状 15__eol__1.6 微电子技术的发展 20__eol__1.7 本章小结 26__eol__思考题 27__eol__第2章 半导体物理基础 28__eol__2.1 半导体材料及其基本性质 28__eol__2.2 硅的晶格结构 29__eol__2.3 硅晶体中的缺陷 32__eol__2.4 半导体中的能带理论 34__eol__2.5 半导体的掺杂 36__eol__2.6 费米分布函数 39__eol__2.7 载流子的输运 40__eol__2.7.1 半导体中的载流子 40__eol__2.7.2 半导体中的载流子浓度 40__eol__2.7.3 载流子的输运机制 42__eol__2.8 连续性方程 44__eol__2.9 本章小结 45__eol__2.10 扩展阅读内容 45__eol__2.10.1 载流子的漂移运动与迁移率__eol__的推导 45__eol__2.10.2 载流子扩散运动的推导 46__eol__思考题 47__eol__第3章 半导体器件物理基础 48__eol__3.1 PN结 48__eol__3.1.1 平衡PN结 49__eol__3.1.2 PN结能带 50__eol__3.1.3 正向偏置的PN结 51__eol__3.1.4 反向偏置的PN结 52__eol__3.1.5 PN结的伏安特性 53__eol__3.1.6 PN结电容 54__eol__3.1.7 PN结击穿 55__eol__3.1.8 PN结的应用 58__eol__3.2 双极型晶体管 60__eol__3.2.1 晶体管的结构及类型 61__eol__3.2.2 晶体管的电流放大原理 62__eol__3.2.3 晶体管中载流子浓度分布 63__eol__3.2.4 晶体管的伏安特性曲线 65__eol__3.2.5 晶体管的频率特性 69__eol__3.2.6 晶体管的大电流特性 71__eol__3.3 MOSFET 76__eol__3.3.1 N沟道增强型MOSFET的 __eol__器件结构 76__eol__3.3.2 N沟道增强型MOSFET的__eol__能带图 77__eol__3.3.3 阈值电压 79__eol__3.3.4 工作原理 81__eol__3.3.5 特性曲线 82__eol__3.3.6 N沟道耗尽型MOSFET 83__eol__3.3.7 P沟道MOSFET及不同类型MOSFET特性比较 84__eol__3.3.8 MOS功率场效应晶体管 85__eol__3.4 JFET 86__eol__3.4.1 JFET的基本结构 86__eol__3.4.2 JFET的工作原理 87__eol__3.4.3 JFET的输出特性曲线 88__eol__3.5 MESFET的基本结构和工作__eol__原理 89__eol__3.6 本章小结 89__eol__3.7 扩展阅读内容 90__eol__思考题 91__eol__第4章 半导体集成电路制造工艺 93__eol__4.1 单晶生长及衬底制备 93__eol__4.1.1 单晶生长 93__eol__4.1.2 衬底制备 95__eol__4.2 光刻 96__eol__4.3 刻蚀 101__eol__4.4 掺杂技术 103__eol__4.4.1 扩散 103__eol__4.4.2 离子注入 106__eol__4.5 制膜技术 108__eol__4.5.1 氧化 109__eol__4.5.2 化学气相淀积 115__eol__4.5.3 物理气相淀积 122__eol__4.6 接触与互连 124__eol__4.7 隔离技术 125__eol__4.8 封装技术 126__eol__4.9 主要器件和工艺流程示例 127__eol__4.9.1 PN结 127__eol__4.9.2 晶体管的制造工艺 128__eol__4.9.3 双极型集成电路的工艺__eol__流程 129__eol__4.9.4 MOS集成电路的工艺__eol__流程 132__eol__4.10 本章小结 134__eol__思考题 134__eol__第5章 集成电路基础 136__eol__5.1 集成电路概述 136__eol__5.1.1 集成电路的性能指标 136__eol__5.1.2 集成电路的组成要素 137__eol__5.1.3 集成电路的分类 138__eol__5.1.4 集成电路的发展 138__eol__5.2 数字集成电路 139__eol__5.2.1 数字逻辑简介 139__eol__5.2.2 CMOS反相器性能指标 141__eol__5.2.3 CMOS逻辑门电路 148__eol__5.2.4 CMOS集成电路的特点 154__eol__5.3 双极型和BiCMOS集成电路 155__eol__5.3.1 双极型集成电路 155__eol__5.3.2 BiCMOS集成电路 156__eol__5.4 模拟集成电路 157__eol__5.4.1 放大器的性能指标 157__eol__5.4.2 3种组态放大器 159__eol__5.4.3 差分放大器 165__eol__5.4.4 基准电压源 167__eol__5.4.5 基准电流源 168__eol__5.4.6 运算放大电路 168__eol__5.5 集成电路版图 170__eol__5.5.1 版图设计规则 170__eol__5.5.2 布图规则及布局布线技术 172__eol__5.5.3 数字电路版图设计 174__eol__5.5.4 模拟电路版图设计 175__eol__5.6 集成电路设计工具介绍 176__eol__5.6.1 概述 176__eol__5.6.2 Cadence工具介绍 176__eol__5.6.3 ADS工具介绍 177__eol__5.6.4 Aether工具介绍 179__eol__5.7 大规模集成电路基础 180__eol__5.7.1 按比例缩小的基本理论——CE理论 181__eol__5.7.2 按比例缩小的CV理论 182__eol__5.7.3 按比例缩小的QCV理论 183__eol__5.8 集成电路设计方法学 183__eol__5.9 本章小结 184__eol__思考题 185__eol__第6章 新型微电子技术 187__eol__6.1 SoC技术 187__eol__6.1.1 SoC技术现状及其分类 187__eol__6.1.2 SoC发展中的焦点技术 188__eol__6.1.3 SoPC 190__eol__6.2 微机电系统（MEMS）技术 191__eol__6.2.1 微机电系统的特点 191__eol__6.2.2 微机电系统的分类 192__eol__6.2.3 微机电系统的工艺材料 193__eol__6.2.4 微机电系统的应用领域 194__eol__6.3 生物芯片技术 195__eol__6.3.1 生物芯片发展历史 195__eol__6.3.2 生物芯片分类 196__eol__6.3.3 生物芯片的应用前景 196__eol__6.4 纳电子技术 196__eol__6.4.1 纳电子器件 197__eol__6.4.2 纳电子材料 199__eol__6.5 纳米相关技术 200__eol__6.6 本章小结 203__eol__思考题 204__eol__参考文献 205