第1章半导体技术概述1
11半导体技术1
111半导体集成电路发展史1
112半导体技术的发展趋势3
12半导体与电子制造4
121电子制造基本概念4
122电子制造业的技术核心5
习题16
第2章半导体物理基础7
21半导体能带7
211电子的共有化7
212能带7
213杂质能级9
22半导体的载流子运动12
221载流子浓度与费米能级12
222载流子的运动13
习题214
第3章硅半导体材料基础15
31半导体材料概述15
311半导体材料的发展15
312半导体材料的分类16
32硅材料的主要性质18
321硅材料的化学性质18
322硅材料的晶体结构19
323硅材料的电学性质21
324硅材料的热学性质22
325硅材料的机械性质22
33硅单晶的制备技术22
331高纯硅的制备22
332硅的提纯技术23
333硅的晶体生长24
334晶体中杂质与缺陷28
34集成电路硅衬底加工技术37
341硅单晶抛光片的制备38
342硅单晶抛光片的质量检测41
35硅的外延生长技术43
351外延生长概述44
352硅气相外延生长技术45
习题350
第4章化合物半导体材料基础51
41化合物半导体材料概述51
42化合物半导体单晶的制备52
421ⅢⅤ族化合物半导体单晶的制备52
422ⅡⅥ族化合物半导体单晶的制备54
43化合物半导体外延生长技术55
431气相外延生长55
432液相外延生长57
433其他外延生长技术61
44化合物半导体的应用65
441发光二极管的显示和照明方面的应用65
442集成电路方面的应用68
443太阳能电池方面的应用70
习题472
第5章PN结73
51PN结及能带图73
511PN结的制造及杂质分布73
512平衡PN结74
52PN结的直流特性76
521PN结的正向特性76
522PN结的反向特性76
523PN结的伏安特性76
53PN结电容77
531势垒电容77
532扩散电容77
54PN结击穿77
541雪崩击穿78
542隧道击穿78
55PN结的开关特性与反向恢复时间78
551PN结的开关特性78
552PN结的反向恢复时间78
习题579
第6章双极型晶体管80
61晶体管概述80
611晶体管基本结构80
612晶体管的制造工艺及杂质分布81
62晶体管电流放大原理82
621晶体管载流子浓度分布及传输82
622晶体管直流电流放大系数84
623晶体管的特性曲线85
63晶体管的反向电流与击穿电压87
631晶体管的反向电流87
632晶体管的击穿电压88
64晶体管的频率特性与功率特性88
641晶体管的频率特性88
642晶体管的功率特性89
65晶体管的开关特性90
习题691
第7章MOS场效应晶体管92
71MOS场效应晶体管概述92
711MOS场效应晶体管结构92
712MOS场效应晶体管工作原理94
713MOS场效应晶体管的分类95
72MOS场效应晶体管特性98
721MOS场效应晶体管输出特性98
722MOS场效应晶体管转移特性100
723MOS场效应晶体管阈值电压102
724MOS场效应晶体管电容电压特性109
725MOS场效应晶体管频率特性111
726MOS场效应晶体管开关特性114
习题7117
第8章其他常用半导体器件118
81结型场效应晶体管118
811结型场效应晶体管基本结构及工作原理119
812结型场效应晶体管特性122
82MOS功率场效应晶体管126
821MOS功率场效应晶体管基本结构127
822MOS功率场效应晶体管特性128
83光电二极管132
831PN结光伏特性132
832光电二极管结构及工作原理134
84发光二极管137
841发光二极管结构及工作原理138
842发光二极管的制备140
习题8143
第9章半导体工艺化学基础144
91化学清洗144
911硅片表面污染杂质类型144
912清洗步骤145
913有机杂质清洗145
914无机杂质的清洗145
915清洗工艺安全操作150
92硅表面抛光化学原理151
921铬离子化学机械抛光151
922铜离子化学机械抛光151
923二氧化硅胶体化学机械抛光152
93纯水制备152
931纯水在半导体生产中的应用152
932离子交换制备纯水153
933水纯度的测量155
94制备钝化膜155
941二氧化硅钝化膜的制备155
942其他类型钝化膜156
95扩散工艺化学原理159
951扩散工艺概述159
952硼扩散的化学原理159
953磷扩散的化学原理160
954锑扩散的化学原理161
955砷扩散的化学原理161
96光刻工艺的化学原理162
961光刻工艺概述162
962光刻工艺中的化学应用163
97化学腐蚀166
971化学腐蚀的原理166
972影响化学腐蚀的因素168
习题9169
第10章半导体集成电路设计原理170
101CMOS集成电路中的无源元件170
1011互连线170
1012电阻器172
1013电容器175
102CMOS反相器177
1021CMOS反相器的结构178
1022CMOS反相器的特性179
103基本单元电路181
1031CMOS逻辑门电路181
1032MOS传输门逻辑电路184
1033动态CMOS逻辑电路186
1034锁存器和触发器187
1035简单数字集成系统设计介绍187
习题10188
第11章半导体集成电路设计方法与制造工艺189
111半导体集成电路设计方法189
1111半导体集成电路设计发展的各个阶段189
1112当前集成电路设计的原则191
112CMOS集成电路制造工艺简介192
1121双阱CMOS工艺的主要流程192
1122隔离技术198
113CMOS版图设计201
1131版图设计方法201
1132版图设计技巧201
1133版图设计举例202
习题11203
参考文献204