第1章 半导体材料概论 1__eol__1.1 半导体材料的研究和发展历史 2__eol__1.2 半导体材料的基本性质 3__eol__1.2.1 半导体材料的分类 4__eol__1.2.2 半导体材料的基本电学特性 5__eol__1.2.3 半导体材料的材料结构特性 7__eol__1.3 半导体材料的应用和产业 8__eol__1.3.1 半导体材料在微电子产业的应用 8__eol__1.3.2 半导体材料在光电子产业的应用 10__eol__1.3.3 半导体材料在太阳能光伏产业的应用 11__eol__1.4 半导体材料的展望 12__eol__习题1 13__eol__第2章 半导体材料物理基础 14__eol__2.1 载流子和能带 14__eol__2.1.1 载流子和电导率 14__eol__2.1.2 能带结构 15__eol__2.1.3 电子和空穴 18__eol__2.2 杂质和缺陷能级 19__eol__2.2.1 掺杂半导体材料 19__eol__2.2.2 杂质能级 20__eol__2.2.3 深能级 22__eol__2.2.4 缺陷能级 23__eol__2.3 热平衡状态下的载流子 23__eol__2.3.1 载流子的状态密度和统计分布 24__eol__2.3.2 本征半导体的载流子浓度 27__eol__2.3.3 掺杂半导体的载流子浓度和补偿 28__eol__2.4 非平衡少数载流子 30__eol__2.4.1 非平衡载流子的产生、复合和寿命 30__eol__2.4.2 非平衡载流子的扩散 32__eol__2.4.3 非平衡载流子在电场下的漂移和扩散 33__eol__2.5 PN结 35__eol__2.5.1 PN结的制备 36__eol__2.5.2 PN结的能带结构 38__eol__2.5.3 PN结的电流-电压特性 39__eol__2.6 金属-半导体接触和MIS结构 41__eol__2.6.1 金属-半导体接触 41__eol__2.6.2 欧姆接触 43__eol__2.6.3 MIS结构 44__eol__习题2 45__eol__参考文献 45__eol__第3章 半导体材料晶体生长原理 46__eol__3.1 半导体晶体材料的生长方式 46__eol__3.2 晶体生长的热力学理论 47__eol__3.2.1 晶体生长的自由能和驱动力 47__eol__3.2.2 晶体生长的均匀成核 50__eol__3.2.3 晶体生长的非均匀成核 52__eol__3.3 晶体生长的动力学理论 54__eol__3.3.1 晶体生长单原子层界面模型 54__eol__3.3.2 晶体生长机制 56__eol__3.4 晶体的外形控制 59__eol__3.4.1 晶体外形和界面自由能的关系 59__eol__3.4.2 晶体外形和晶体生长界面的关系 60__eol__3.4.3 晶体外形和晶体生长方向的关系 61__eol__习题3 62__eol__参考文献 63__eol__第4章 半导体材料晶体生长技术 64__eol__4.1 熔体生长技术 64__eol__4.1.1 直拉晶体生长技术 64__eol__4.1.2 布里奇曼晶体生长技术 66__eol__4.1.3 区熔晶体生长技术 67__eol__4.2 溶液生长技术 69__eol__4.2.1 溶液降温生长晶体技术 70__eol__4.2.2 溶液恒温蒸发生长晶体技术 70__eol__4.2.3 溶液温差水热生长晶体技术 71__eol__4.2.4 溶剂分凝（助溶剂法）生长晶体技术 71__eol__4.2.5 溶液液相外延生长晶体技术 71__eol__4.3 气相生长技术 73__eol__4.3.1 真空蒸发法 74__eol__4.3.2 升华法 78__eol__4.3.3 化学气相沉积法 78__eol__4.3.4 低维半导体材料的生长和制备 81__eol__习题4 84__eol__参考文献 84__eol__第5章 元素半导体材料的基本性质 86__eol__5.1 硅材料 86__eol__5.1.1 硅的基本性质和应用 86__eol__5.1.2 硅的晶体结构 88__eol__5.1.3 硅的能带结构 91__eol__5.1.4 硅的电学性质 93__eol__5.1.5 硅的化学性质 94__eol__5.1.6 硅的光学性质 95__eol__5.1.7 硅的力学性质 97__eol__5.1.8 硅的热学性质 99__eol__5.2 锗材料的基本性质 100__eol__5.3 碳材料的基本性质 103__eol__习题5 105__eol__参考文献 105__eol__第6章 元素半导体材料的提纯和制备 107__eol__6.1 金属硅的制备 107__eol__6.2 高纯多晶硅的提纯和制备 109__eol__6.2.1 三氯氢硅工艺制备高纯多晶硅 109__eol__6.2.2 硅烷热分解工艺制备高纯多晶硅 114__eol__6.2.3 流化床工艺制备高纯多晶硅 115__eol__6.2.4 其他化学提纯工艺制备高纯多晶硅 116__eol__6.2.5 物理冶金工艺制备太阳能级多晶硅 117__eol__6.3 高纯锗半导体材料的提纯和制备 120__eol__6.3.1 锗半导体材料的应用 120__eol__6.3.2 金属锗的制备 121__eol__6.3.3 高纯锗的制备 123__eol__6.3.4 单晶锗的制备 123__eol__习题6 124__eol__参考文献 124__eol__第7章 区熔单晶硅的生长和制备 125__eol__7.1 分凝现象和分凝系数 125__eol__7.1.1 分凝现象和平衡分凝系数 125__eol__7.1.2 有效分凝系数 127__eol__7.1.3 正常凝固和杂质分布 128__eol__7.2 区熔晶体生长理论 129__eol__7.3 区熔单晶硅生长 132__eol__习题7 136__eol__参考文献 137__eol__第8章 直拉单晶硅的生长和制备 138__eol__8.1 直拉单晶硅的生长工艺 138__eol__8.1.1 直拉单晶硅生长的基本工艺 139__eol__8.1.2 直拉单晶硅生长的主要控制因素 144__eol__8.2 直拉单晶硅的新型生长工艺 148__eol__8.2.1 磁控直拉单晶硅生长工艺 148__eol__8.2.2 重复装料直拉单晶硅生长工艺 149__eol__8.2.3 连续加料直拉单晶硅生长工艺 150__eol__8.3 硅片加工工艺 151__eol__8.3.1 晶锭切断 151__eol__8.3.2 晶锭滚圆和切方 152__eol__8.3.3 晶锭切片 152__eol__8.3.4 硅片化学腐蚀 154__eol__8.3.5 硅片倒角 155__eol__8.3.6 硅片研磨 155__eol__8.3.7 硅片抛光 155__eol__习题8 156__eol__参考文献 157__eol__第9章 直拉单晶硅的杂质和缺陷 159__eol__9.1 直拉单晶硅的掺杂 159__eol__9.1.1 直拉单晶硅的掺杂剂 159__eol__9.1.2 直拉单晶硅的掺杂技术 160__eol__9.1.3 直拉单晶硅的掺杂量 161__eol__9.2 直拉单晶硅的杂质 163__eol__9.2.1 氧杂质 163__eol__9.2.2 碳杂质 167__eol__9.2.3 氮杂质 169__eol__9.2.4 锗杂质 171__eol__9.2.5 氢杂质 173__eol__9.2.6 金属杂质 175__eol__9.3 直拉单晶硅的缺陷 177__eol__9.3.1 单晶硅原生缺陷 177__eol__9.3.2 硅片加工诱生缺陷 179__eol__9.3.3 器件工艺诱生缺陷 180__eol__习题9 182__eol__参考文献 183__eol__第10章 硅薄膜半导体材料 184__eol__10.1 单晶硅薄膜半导体材料 184__eol__10.1.1 外延生长单晶硅薄膜 185__eol__10.1.2 外延单晶硅薄膜掺杂 189__eol__10.1.3 外延单晶硅薄膜的缺陷 191__eol__10.2 非晶硅薄膜半导体材料 192__eol__10.2.1 非晶硅薄膜材料的基本性质 193__eol__10.2.2 非晶硅薄膜材料的制备 196__eol__10.2.3 非晶硅薄膜材料中的氢杂质 198__eol__10.3 多晶硅薄膜半导体材料 200__eol__10.3.1 多晶硅薄膜的基本性质 200__eol__10.3.2 多晶硅薄膜的制备 202__eol__10.4 绝缘体上硅（SOI）薄膜半导体材料 206__eol__10.4.1 注氧隔离技术 208__eol__10.4.2 键合和反面腐蚀技术 208__eol__10.4.3 注氢智能切割技术