等离子体与功能电介质应用
¥69.80定价
作者: 张嘉伟
出版时间:2025-12
出版社:电子工业出版社
- 电子工业出版社
- 9787121495670
- 1-1
- 540965
- 16开
- 2025-12
- 电子信息与电气
- 本科 研究生及以上
内容简介
本书涵盖等离子体与功能电介质的基本理论及其在多个领域中的具体应用。全书共7章。第1章为绪论,对等离子体和功能电介质进行了简要的介绍;第2章为功能电介质的等离子体改性,介绍了等离子体技术与功能电介质在特高压输电中的应用;第3章为功能电介质极化及老化,分析了功能电介质的极化和老化现象;第4章为功能电介质及传感技术,介绍了传感器的基本原理及应用;第5章为等离子体仿真技术,介绍了现有的等离子体数值模型;第6章和第7章分别为半导体中的等离子体刻蚀和等离子体放电催化,展示了等离子体与功能电介质在半导体及催化领域的应用。__eol__ 本书可作为电气、电子、物理等专业的高年级本科生、研究生的教材,也可作为等离子体相关科研工作者的参考书。
目录
目 录__eol__第1章 绪论 1__eol__1.1 等离子体 1__eol__1.1.1 等离子体的基本概念 1__eol__1.1.2 等离子体的基本参数 2__eol__1.1.3 等离子体的分类 4__eol__1.1.4 等离子体的鞘层 4__eol__1.2 功能电介质 5__eol__1.2.1 电介质的概念及分类 5__eol__1.2.2 功能电介质的概念及功能设计 7__eol__1.2.3 功能电介质的分类及特点 8__eol__第2章 功能电介质的等离子体改性 10__eol__2.1 特高压输电技术的发展 10__eol__2.1.1 特高压输电技术的发展概述 10__eol__2.1.2 特高压交流输电技术 12__eol__2.1.3 特高压直流输电技术 13__eol__2.2 沿面闪络产生机理 17__eol__2.2.1 真空沿面闪络机理 17__eol__2.2.2 高气压下沿面闪络机理 19__eol__2.3 等离子体表面处理 22__eol__2.3.1 表面氟化 22__eol__2.3.2 薄膜沉积 23__eol__第3章 功能电介质极化及老化 25__eol__3.1 功能电介质的极化理论 25__eol__3.1.1 功能电介质极化 25__eol__3.1.2 功能电介质的极化方法 27__eol__3.1.3 常见功能电介质的极化过程 29__eol__3.1.4 极化的微观机理 32__eol__3.2 功能电介质老化 38__eol__3.2.1 老化的含义与老化检测 38__eol__3.2.2 老化的类型 38__eol__3.3 热老化 39__eol__3.3.1 热老化机理 39__eol__3.3.2 热氧老化 41__eol__3.3.3 绝缘材料的耐热指数 42__eol__3.4 大气老化 42__eol__3.4.1 光氧化老化 43__eol__3.4.2 臭氧老化 45__eol__3.4.3 化学老化 48__eol__3.5 功能电介质的电老化 49__eol__3.5.1 电晕放电老化 50__eol__3.5.2 电弧放电老化 51__eol__3.5.3 电痕化老化 54__eol__3.5.4 树枝化老化 56__eol__3.6 特殊环境中的老化 57__eol__3.6.1 紫外辐照老化 57__eol__3.6.2 盐雾老化 58__eol__第4章 功能电介质及传感技术 59__eol__4.1 传感材料分类 59__eol__4.1.1 压电材料 59__eol__4.1.2 热电材料 63__eol__4.1.3 光电材料 66__eol__4.1.4 磁电材料 68__eol__4.1.5 铁电材料 70__eol__4.2 传感器理论与参数 74__eol__4.2.1 传感器的定义和组成 74__eol__4.2.2 传感器的分类 74__eol__4.2.3 传感器的基本特性和主要性能指标 75__eol__4.3 常用的传感器 77__eol__4.3.1 电容式传感器 77__eol__4.3.2 压电式传感器 80__eol__4.3.3 光电式传感器 85__eol__4.3.4 光纤传感器 86__eol__4.3.5 磁电式传感器 89__eol__4.3.6 温度传感器 91__eol__4.3.7 MEMS传感器 92__eol__4.4 应用于固体绝缘电介质参数测量的传感技术 97__eol__4.4.1 空间电荷测量 97__eol__4.4.2 电滞回线测量 98__eol__4.4.3 磁滞回线测量 100__eol__4.5 应用于等离子体放电参数测量的传感技术 101__eol__4.5.1 基于直流辉光放电的等离子体的气体压力传感器 101__eol__4.5.2 真空开关电弧形态研究及其等离子体诊断 102__eol__第5章 等离子体仿真技术 104__eol__5.1 仿真技术发展概述 104__eol__5.2 粒子模拟 105__eol__5.2.1 电磁场求解 105__eol__5.2.2 粒子运动求解 108__eol__5.2.3 气体电离处理 111__eol__5.3 流体模拟 112__eol__5.3.1 等离子体数密度连续性、动量和能量方程 113__eol__5.3.2 控制方程 116__eol__5.3.3 漂移扩散近似 117__eol__5.4 磁流体动力学 118__eol__5.4.1 动力学方程 119__eol__5.4.2 理想磁流体动力学方程组 122__eol__5.5 混合模型 123__eol__5.5.1 流体-EEDF混合模型 123__eol__5.5.2 DSMC-流体混合模型 124__eol__5.5.3 PIC-MCC-流体混合模型 125__eol__第6章 半导体中的等离子体刻蚀 126__eol__6.1 半导体产业简介 126__eol__6.2 半导体材料的基本特性 127__eol__6.3 芯片加工工艺 133__eol__6.3.1 晶体生长与晶圆氧化 133__eol__6.3.2 光刻 137__eol__6.3.3 掺杂 138__eol__6.3.4 薄膜沉积 139__eol__6.4 芯片封装 142__eol__6.4.1 简介 142__eol__6.4.2 封装功能和设计 142__eol__6.4.3 封装工艺 143__eol__6.5 离子源介绍 147__eol__6.5.1 等离子体的参数 147__eol__6.5.2 等离子体离子源的分类 149__eol__6.5.3 离子的引出 149__eol__6.6 等离子体刻蚀 151__eol__6.6.1 晶片偏置 152__eol__6.6.2 原料气体的选择 153__eol__6.6.3 硅或多晶硅刻蚀 154__eol__6.6.4 铝刻蚀 154__eol__6.6.5 二氯化硅刻蚀 154__eol__6.6.6 等离子体的损害 155__eol__第7章 等离子体放电催化 156__eol__7.1 概述 156__eol__7.1.1 等离子体催化的发展 156__eol__7.1.2 等离子体的产生 157__eol__7.2 等离子体催化机理 160__eol__7.2.1 等离子体与催化剂的相互作用 160__eol__7.2.2 等离子体催化原理 161__eol__7.3 气相催化应用 162__eol__7.3.1 等离子体催化分解氨获得氢能 162__eol__7.3.2 甲烷的等离子体催化转化 163__eol__7.3.3 等离子体催化分解二氧化碳 164__eol__7.3.4 氮氧化物污染 166__eol__7.4 液相催化应用 167__eol__7.4.1 等离子体水中放电过程 167__eol__7.4.2 水中等离子体化学反应 170__eol__7.4.3 水中等离子体催化的生物效应 172__eol__参考文献 174__eol__