目 录__eol__第1章 无线电发展历史的间断回顾 1__eol__1.1 引言 1__eol__1.2 麦克斯韦和赫兹 1__eol__1.3 真空管发明前的电子学 2__eol__1.4 真空管的诞生 6__eol__1.5 Armstrong和再生放大器/检波器/振荡器 9__eol__1.6 其他无线电电路 11__eol__1.6.1 调谐与中和式调谐射频接收器 11__eol__1.6.2 返回式电路 12__eol__1.7 Armstrong和超再生电路 13__eol__1.8 Oleg Losev和第一个固态电路放大器 14__eol__1.9 结束语 15__eol__1.10 附录A：真空管基础 16__eol__1.11 附录B：究竟是谁发明了无线电 24__eol__第2章 无线通信原理概述 31__eol__2.1 无线系统简史 31__eol__2.1.1 新生代时期 32__eol__2.1.2 移动电话服务的首次出现 34__eol__2.1.3 第一代蜂窝电话系统 36__eol__2.1.4 第二代蜂窝电话系统 37__eol__2.1.5 第三代（3G）蜂窝电话系统 40__eol__2.2 非蜂窝无线通信的应用 40__eol__2.2.1 IEEE 802.11（WiFi） 40__eol__2.2.2 蓝牙 42__eol__2.2.3 无线个人局域网（WPAN） 42__eol__2.2.4 超宽带（UWB） 43__eol__2.3 香农定理、调制及其他主题 43__eol__2.3.1 幅值调制（AM） 47__eol__2.3.2 DSB-SC（SC-AM）与SSB 49__eol__2.3.3 角度调制：FM和PM 53__eol__2.3.4 数字调制 56__eol__2.4 传播 59__eol__2.5 结论 64__eol__2.6 附录：其他无线系统的特性 64__eol__第3章 无源RLC网络 67__eol__3.1 引言 67__eol__3.2 并联RLC谐振回路 67__eol__3.2.1 Q值 68__eol__3.2.2 谐振时的支路电流 69__eol__3.2.3 带宽与Q值 69__eol__3.2.4 铃振与Q值 70__eol__3.3 串联RLC网络 70__eol__3.4 其他谐振RLC网络 71__eol__3.5 作为阻抗变换器的RLC网络 72__eol__3.5.1 最大功率传输理论 72__eol__3.5.2 L形匹配 72__eol__3.5.3 ? 形匹配 74__eol__3.5.4 T形匹配 75__eol__3.5.5 作为阻抗匹配网络的抽头电容谐振器 76__eol__3.5.6 抽头电感匹配 78__eol__3.5.7 双抽头谐振器 79__eol__3.6 实例 80__eol__3.6.1 L形匹配求解 81__eol__3.6.2 ? 形匹配求解 81__eol__3.6.3 抽头电容匹配求解 82__eol__3.6.4 抽头电感匹配求解 82__eol__习题 83__eol__第4章 无源集成电路元件的特性 88__eol__4.1 引言 88__eol__4.2 射频情况下的互连线：趋肤效应 88__eol__4.3 电阻 92__eol__4.4 电容 94__eol__4.5 电感 104__eol__4.5.1 螺旋电感 104__eol__4.5.2 键合线电感 111__eol__4.5.3 其他电感公式 112__eol__4.6 变压器 114__eol__4.6.1 单片变压器的实现方法 116__eol__4.6.2 平面变压器的解析模型 118__eol__4.7 高频时的互连选择 120__eol__4.8 小结 123__eol__4.9 附录：电容方程总结 123__eol__习题 124__eol__第5章 MOS器件物理特性回顾 127__eol__5.1 引言 127__eol__5.2 MOS简史 127__eol__5.3 场效应管：一个小故事 128__eol__5.4 MOSFET物理特性：长沟道近似 128__eol__5.4.1 线性区（三极管区）的漏极电流 130__eol__5.4.2 饱和区的漏极电流 131__eol__5.4.3 沟道长度调制 131__eol__5.4.4 动态元件 132__eol__5.4.5 高频品质因子 134__eol__5.4.6 长沟道限制内的工艺尺寸等比例缩小规律 136__eol__5.5 弱反型区（亚阈值区）的工作情况 136__eol__5.5.1 基础知识 137__eol__5.5.2 亚阈值模型公式 138__eol__5.5.3 亚阈值模型小结 139__eol__5.6 短沟道情况下的MOS器件物理特性 139__eol__5.6.1 速度饱和对晶体管动态特性的影响 141__eol__5.6.2 阈值电压的降低 141__eol__5.6.3 衬底电流 142__eol__5.6.4 栅极电流 142__eol__5.7 其他效应 142__eol__5.7.1 背栅偏置 142__eol__5.7.2 温度的变化 143__eol__5.7.3 垂直电场方向上的迁移率降低 144__eol__5.8 小结 144__eol__5.9 附录A：0.5 ?m Level-3 SPICE模型 144__eol__5.10 附录B：Level-3 SPICE模型 145__eol__5.11 附录C：Level-1 MOS模型 149__eol__5.12 附录D：一些非常粗略的尺寸缩小规律 150__eol__习题 151__eol__第6章 分布参数系统 154__eol__6.1 引言 154__eol__6.2 集总和分布参数范畴之间的联系 156__eol__6.3 重复结构的策动点阻抗 156__eol__6.4 关于传输线的更详细讨论 157__eol__6.4.1 有损传输线的集总参数模型 158__eol__6.4.2 有损传输线的特征阻抗 158__eol__6.4.3 传播常数 158__eol__6.4.4 ? 与传输线参数的关系 159__eol__6.5 有限长传输线的特性 162__eol__6.5.1 终端匹配的传输线 162__eol__6.5.2 终端接上任意负载阻抗的传输线 162__eol__6.6 传输线公式小结 164__eol__6.7 人工传输线 164__eol__6.7.1 集总参数传输线的截止频率 165__eol__6.7.2 终止集总参数传输线 165__eol__6.7.3 m参数半段网络 166__eol__6.8 小结 166__eol__习题 167__eol__第7章 史密斯圆图和S参数 169__eol__7.1 引言 169__eol__7.2 史密斯圆图 169__eol__7.3 S参数 172__eol__7.4 附录A：关于单位的一些说明 174__eol__7.5 附录B：为什么采用50 ?（或75 ?） 175__eol__习题 177__eol__第8章 带宽估算方法 179__eol__8.1 引言 179__eol__8.2 开路时间常数方法 179__eol__8.2.1 观察与解释 181__eol__8.2.2 开路时间常数的精度 181__eol__8.2.3 其他重要考虑 182__eol__8.2.4 一些有用的公式 183__eol__8.2.5 其他公式 184__eol__8.2.6 设计实例 189__eol__8.2.7 开路时间常数方法小结 195__eol__8.3 短路时间常数方法 196__eol__8.3.1 引言 196__eol__8.3.2 背景材料 196__eol__8.3.3 观察与解释 197__eol__8.3.4 短路时间常数的精度 197__eol__8.3.5 其他重要考虑 198__eol__8.3.6 小结与结论 199__eol__8.4 补充读物 199__eol__8.5 上升时间、延时及带宽 200__eol__8.5.1 引言 200__eol__8.5.2 级联系统的延时 200__eol__8.5.3 级联系统的上升时间 201__eol__8.5.4 上升时间相加规则的一个（简单）应用 203__eol__8.5.5 带宽-上升时间之间的关系 203__eol__8.5.6 开路时间常数、上升时间相加及带宽缩小 204__eol__8.6 小结 205__eol__习题 205__eol__第9章 高频放大器设计 208__eol__9.1 引言 208__eol__9.2 利用零点增大带宽 208__eol__9.2.1 并联补偿放大器 208__eol__9.2.2 并联补偿：设计实例 212__eol__9.2.3 更多的有关利用零点增大带宽的方法 213__eol__9.2.4 二端口网络带宽增大电路 215__eol__9.3